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参数资料
| 型号： | IRFBC20-002PBF |
| 厂商： | VISHAY INTERTECHNOLOGY INC |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 2.2 A, 600 V, 4.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 35K |
| 代理商： | IRFBC20-002PBF |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| IRFBC20L | 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 2.2 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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| IRFBC20PBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 2.2 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFBC20S | 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 2.2 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFBC20S/LPBF | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET |
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