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参数资料
| 型号： | IRFBE22-006 |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 1.6 A, 800 V, 7.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 41K |
| 代理商： | IRFBE22-006 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFBE22-004 | 1.6 A, 800 V, 7.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| IRFBE30-001PBF | 3.1 A, 800 V, 3.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| IRFBE30-001 | 3.1 A, 800 V, 3.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| IRFBE32-006PBF | 2.8 A, 800 V, 3.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| IRFBE32-004PBF | 2.8 A, 800 V, 3.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRFBE30 | 功能描述:MOSFET 800V Single N-Channel HEXFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFBE30L | 功能描述:MOSFET N-Chan 800V 4.1 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFBE30LPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 800V 4.1 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFBE30PBF | 功能描述:MOSFET 800V Single N-Channel HEXFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFBE30S | 功能描述:MOSFET N-Chan 800V 4.1 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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