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参数资料
| 型号： | IRFBG22-006 |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 1.2 A, 1000 V, 13.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 41K |
| 代理商： | IRFBG22-006 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFBG22-001 | 1.2 A, 1000 V, 13.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| IRF9541-011PBF | 19 A, 80 V, 0.2 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| IRF9541-009PBF | 19 A, 80 V, 0.2 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| IRF9541-003PBF | 19 A, 80 V, 0.2 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| IRF9541-001PBF | 19 A, 80 V, 0.2 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRFBG30 | 功能描述:MOSFET 1000V Single N-Channel HEXFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFBG30PBF | 功能描述:MOSFET 1000V Single N-Channel HEXFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFBG32 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 1KV V(BR)DSS | 2.1A I(D) | TO-220AB |
| IRFBL10N60A | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 11A I(D) | TO-263VAR |
| IRFBL12N50A | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HEXFET㈢ Power MOSFET |
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