- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录360936 > IRFD020 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 2.4A I(D) | TO-250VAR PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IRFD020 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 2.4A I(D) | TO-250VAR |
| 中文描述： | 晶体管| MOSFET的| N沟道| 50V五（巴西）直| 2.4AI（四）|对250VAR |
| 文件页数： | 1/6页 |
| 文件大小： | 439K |
| 代理商： | IRFD020 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFD022 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 2.2A I(D) | TO-250VAR |
| IRFD015 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 1.4A I(D) | DIP |
| IRFD025 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 2.2A I(D) | DIP |
| IRFD111 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 1A I(D) | TO-250VAR |
| IRFU020 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 15A I(D) | TO-251AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRFD020PBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 50V 2.4 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFD022 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 2.2A I(D) | TO-250VAR |
| IRFD024 | 功能描述:MOSFET N-Chan 60V 2.5 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFD024_10 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Power MOSFET |
| IRFD024PBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 60V 2.5 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。