参数资料
型号: IRFD211
英文描述: TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 600MA I(D) | TO-250VAR
中文描述: 晶体管| MOSFET的| N沟道| 150伏五(巴西)直| 600毫安(丁)|对250VAR
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代理商: IRFD211
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PDF描述
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参数描述
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IRFD212R 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 450MA I(D) | TO-250VAR
IRFD213 功能描述:MOSFET N-Chan 200V 0.6 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFD213R 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 450MA I(D) | TO-250VAR