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参数资料
| 型号： | IRFD312 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 300MA I(D) | TO-250VAR |
| 中文描述： | 晶体管| MOSFET的| N沟道| 400V五（巴西）直| 300毫安（丁）|对250VAR |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 35K |
| 代理商： | IRFD312 |
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| IRFD320PBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 400V 0.49 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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