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参数资料
| 型号： | IRFD9010 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 1.1A I(D) | DIP |
| 中文描述： | 晶体管| MOSFET的| P通道| 50V五（巴西）直| 1.1AI（四）|双酯 |
| 文件页数： | 6/6页 |
| 文件大小： | 448K |
| 代理商： | IRFD9010 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFD9012 | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 910MA I(D) | DIP |
| IRFD9015 | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 910MA I(D) | DIP |
| IRFD9025 | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 1.4A I(D) | DIP |
| IRFD9112 | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 600MA I(D) | TO-250VAR |
| IRFD9123 | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 800MA I(D) | TO-250VAR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRFD9010PBF | 功能描述:MOSFET P-Chan 50V 1.1 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFD9012 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 910MA I(D) | DIP |
| IRFD9014 | 功能描述:MOSFET P-Chan 60V 1.1 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFD9014PBF | 功能描述:MOSFET P-Chan 60V 1.1 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFD9015 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 910MA I(D) | DIP |
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