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参数资料
| 型号： | IRFD9015 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 910MA I(D) | DIP |
| 中文描述： | 晶体管| MOSFET的| P通道| 60V的五（巴西）直| 910MA（丁）|双酯 |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 448K |
| 代理商： | IRFD9015 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| IRFD9025 | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 1.4A I(D) | DIP |
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| IRFD9213 | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 300MA I(D) | TO-250VAR |
| IRFD9223 | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 450MA I(D) | TO-250VAR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRFD9020 | 功能描述:MOSFET P-Chan 60V 1.6 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFD9020PBF | 功能描述:MOSFET P-Chan 60V 1.6 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFD9022 | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HEXFET TRANSISTORS P CHANNEL HEXDIP |
| IRFD9024 | 功能描述:MOSFET P-Chan 60V 1.6 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFD9024PBF | 功能描述:MOSFET P-Chan 60V 1.6 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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