型号: | IRFD9025 |
英文描述: | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 1.4A I(D) | DIP |
中文描述: | 晶体管| MOSFET的| P通道| 60V的五(巴西)直| 1.4AI(四)|双酯 |
文件页数: | 4/6页 |
文件大小: | 448K |
代理商: | IRFD9025 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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IRFD9112 | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 600MA I(D) | TO-250VAR |
IRFD9123 | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 800MA I(D) | TO-250VAR |
IRFD9213 | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 300MA I(D) | TO-250VAR |
IRFD9223 | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 450MA I(D) | TO-250VAR |
IRFE024 | N-Channel Power MOSFET(Vdss:60V,Id(cont):6.7A,Rds(on):0.15Ω)(N沟道功率MOS场效应管(Vdss:60V,Id(cont):6.7A,Rds(on):0.15Ω)) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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IRFD9110 | 功能描述:MOSFET P-Chan 100V 0.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
IRFD9110PBF | 功能描述:MOSFET P-Chan 100V 0.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
IRFD9112 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 600MA I(D) | TO-250VAR |
IRFD9113 | 功能描述:MOSFET P-Chan 100V 0.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
IRFD9120 | 功能描述:MOSFET P-Chan 100V 1.0 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |