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参数资料
| 型号： | IRFD9112 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 600MA I(D) | TO-250VAR |
| 中文描述： | 晶体管| MOSFET的| P通道| 100V的五（巴西）直| 600毫安（丁）|对250VAR |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 448K |
| 代理商： | IRFD9112 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFD9123 | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 800MA I(D) | TO-250VAR |
| IRFD9213 | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 300MA I(D) | TO-250VAR |
| IRFD9223 | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 450MA I(D) | TO-250VAR |
| IRFE024 | N-Channel Power MOSFET(Vdss:60V,Id(cont):6.7A,Rds(on):0.15Ω)(N沟道功率MOS场效应管(Vdss:60V,Id(cont):6.7A,Rds(on):0.15Ω)) |
| IRFE024 | N-CHANNEL POWER MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRFD9113 | 功能描述:MOSFET P-Chan 100V 0.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFD9120 | 功能描述:MOSFET P-Chan 100V 1.0 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFD9120PBF | 功能描述:MOSFET P-Chan 100V 1.0 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFD9120R4602 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| IRFD9123 | 功能描述:MOSFET P-Chan 100V 1.0 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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