- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录360936 > IRFD9213 TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 300MA I(D) | TO-250VAR PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IRFD9213 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 300MA I(D) | TO-250VAR |
| 中文描述： | 晶体管| MOSFET的| P通道| 150伏五（巴西）直| 300毫安（丁）|对250VAR |
| 文件页数： | 2/6页 |
| 文件大小： | 448K |
| 代理商： | IRFD9213 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFD9223 | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 450MA I(D) | TO-250VAR |
| IRFE024 | N-Channel Power MOSFET(Vdss:60V,Id(cont):6.7A,Rds(on):0.15Ω)(N沟道功率MOS场效应管(Vdss:60V,Id(cont):6.7A,Rds(on):0.15Ω)) |
| IRFE024 | N-CHANNEL POWER MOSFET |
| IRFE113 | TRANSISTOR | MOSFET | ARRAY | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 800MA I(D) | DIP |
| IRFE130 | N-Channel Power MOSFET(Vdss:100V,Id(cont):7.44A,Rds(on):0.207Ω)(N沟道功率MOS场效应管(Vdss:100V,Id(cont):7.44A,Rds(on):0.207Ω)) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRFD9220 | 功能描述:MOSFET P-Chan 200V 0.56 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFD9220PBF | 功能描述:MOSFET P-Chan 200V 0.56 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFD9223 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 450MA I(D) | TO-250VAR |
| IRFDC20 | 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 0.32 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFDC20PBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 0.32 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。