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参数资料
型号： IRFE320
英文描述： TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 1.8A I(D) | LLCC
中文描述： 晶体管| MOSFET的| N沟道| 400V五（巴西）直| 1.8AI（四）| LLCC
文件页数： 6/7页
文件大小： 229K
代理商： IRFE320
IRFE320
6
www.irf.com
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
10 V
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V
(BR)DSS
I
AS
R
G
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
+
-V
DD
DRIVER
A
15V
20V
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PDF描述
IRFE330 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 3A I(D) | LLCC
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IRFE9110 P-CHANNEL POWER MOSFET
IRFE9123 TRANSISTOR | MOSFET | ARRAY | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 800MA I(D) | DIP
IRFE9130 P-Channel Power MOSFET(Vdss:-100V,Id(cont):-6.1A,Vdgr:-0.345V)(P沟道功率MOS场效应管(Vdss:-100V,Id(cont):-6.1A,Vdgr:-0.345V))
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