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参数资料
| 型号： | IRFH5255TR2PBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 25V 15A 8VQFN |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 25V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 15A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 6 毫欧 @ 15A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.35V @ 25µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 14.5nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 988pF @ 13V |
| 功率 - 最大： | 3.6W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-VQFN |
| 供应商设备封装： | PQFN（5x6）单芯片焊盘 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1524 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | IRFH5255TR2PBFDKR |
IRFH5255PbF
DS
100
10
1
T J = 150°C
T J = 25°C
100
10
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R (on)
100 μ sec
1msec
10msec
0.1
VGS = 0V
1
Tc = 25°C
Tj = 150°C
Single Pulse
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
0
1
10
100
VSD, Source-to-Drain Voltage (V)
Fig 7. Typical Source-Drain Diode Forward Voltage
55
50
45
40
35
30
25
20
3.0
2.5
2.0
1.5
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
15
10
5
0
1.0
0.5
I D = 1.0A
ID = 1.0mA
ID = 150 μ A
ID = 25 μ A
25
50
75
100
125
150
-75 -50 -25
0
25
50
75 100 125 150
T C , Case Temperature (°C)
Fig 9. Maximum Drain Current Vs.
Case (Bottom) Temperature
10
D = 0.50
T J , Temperature ( °C )
Fig 10. Threshold Voltage Vs. Temperature
1
0.1
0.01
0.20
0.10
0.05
0.02
0.01
0.001
SINGLE PULSE
( THERMAL RESPONSE )
Notes:
1. Duty Factor D = t1/t2
2. Peak Tj = P dm x Zthjc + Tc
1E-006
1E-005
0.0001
0.001
0.01
0.1
t1 , Rectangular Pulse Duration (sec)
Fig 11. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case (Bottom)
4
www.irf.com ? 2013 International Rectifier
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December 16, 2013
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| R6202030XXOO | RECTIFIER 2000V 300A |
| A390N | RECTIFIER DSC 800V 400A DO200AA |
| IRFH5306TR2PBF | MOSFET N-CH 30V 15A 5X6 PQFN |
| A390D | RECTIFIER DSC 400V 400A DO200AA |
| 78253/55MVC | XFRMR 5V IN/OUT MAX 253 SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRFH5255TRPBF | 功能描述:MOSFET 25V 1 N-CH HEXFET 6mOhms 7nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFH5300PBF | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET |
| IRFH5300TR2PBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 30V 100A 1.4mOhm mx 50nC Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFH5300TRPBF | 功能描述:MOSFET 30V SINGLE N-CH 1.4mOhms 50nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFH5301PBF | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET |
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