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参数资料
| 型号： | IRFH5306TR2PBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 15A 5X6 PQFN |
| 产品目录绘图： | IR Hexfet PQFN |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 15A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 8.1 毫欧 @ 15A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.35V @ 25µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 12nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1125pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 3.6W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-PowerVDFN |
| 供应商设备封装： | PQFN（5x6）单芯片焊盘 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1524 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | IRFH5306TR2PBFDKR |
IRFH5306PbF
100
100
10
TOP
BOTTOM
VGS
10V
5.0V
4.5V
3.5V
3.3V
3.0V
2.9V
2.7V
TOP
BOTTOM
VGS
10V
5.0V
4.5V
3.5V
3.3V
3.0V
2.9V
2.7V
10
1
2.7V
2.7V
0.1
≤ 60μs PULSE WIDTH
Tj = 25°C
1
≤ 60μs PULSE WIDTH
Tj = 150°C
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
V DS, Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 1. Typical Output Characteristics
100
V DS, Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 2. Typical Output Characteristics
1.8
TJ = 150°C
1.6
1.4
ID = 15A
VGS = 10V
10
TJ = 25°C
1.2
1.0
1.0
VDS = 15V
≤ 60μs PULSE WIDTH
0.8
0.6
1
2
3
4
5
-60 -40 -20 0
20 40 60 80 100 120 140 160
VGS, Gate-to-Source Voltage (V)
Fig 3. Typical Transfer Characteristics
T J , Junction Temperature (°C)
Fig 4. Normalized On-Resistance vs. Temperature
10000
1000
VGS = 0V, f = 1 MHZ
C iss = C gs + C gd, C ds SHORTED
C rss = C gd
C oss = C ds + C gd
Ciss
14.0
12.0
10.0
ID= 15A
VDS= 24V
VDS= 15V
Coss
8.0
100
10
Crss
6.0
4.0
2.0
0.0
1
10
100
0
2
4
6
8
10 12 14 16 18 20
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 5. Typical Capacitance vs.Drain-to-Source Voltage
QG, Total Gate Charge (nC)
Fig 6. Typical Gate Charge vs.Gate-to-Source Voltage
3
www.irf.com ? 2014 International Rectifier
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January 20, 2014
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PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRFH5306TRPBF | 功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 8.1mOhms 7.8nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFH5406PBF | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET |
| IRFH5406TR2PBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 60V 40A 14.4mOhm 23nC Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFH5406TR2PBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET TRANSISTOR 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET Transistor |
| IRFH5406TRPBF | 功能描述:MOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 14.4mOhms 23nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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