- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录21826 > IRFHS9301TRPBF (International Rectifier)MOSFET P-CH 30V 6A PQFN PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IRFHS9301TRPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 30V 6A PQFN |
| 标准包装： | 4,000 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 37 毫欧 @ 7.8A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.4V @ 25µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 13nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 580pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-VQFN |
| 供应商设备封装： | 6-PQFN（2x2） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRFHS9301TR/TR2PbF
1000
1000
100
TOP
BOTTOM
VGS
-10V
-8.0V
-5.0V
-4.5V
-3.5V
-3.3V
-3.0V
-2.8V
100
TOP
BOTTOM
VGS
-10V
-8.0V
-5.0V
-4.5V
-3.5V
-3.3V
-3.0V
-2.8V
10
10
1
0.1
-2.8V
≤ 60 μ s PULSE WIDTH
Tj = 25°C
1
0.1
-2.8V
≤ 60 μ s PULSE WIDTH
Tj = 150°C
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
100
-VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 1. Typical Output Characteristics
-VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 2. Typical Output Characteristics
1.6
10
1
TJ = 150°C
TJ = 25°C
1.4
1.2
1.0
ID = -7.8A
VGS = -10V
0.1
VDS = -15V
≤ 60 μ s PULSE WIDTH
0.8
0.6
1
2
3
4
5
6
-60 -40 -20 0
20 40 60 80 100 120 140 160
-VGS, Gate-to-Source Voltage (V)
Fig 3. Typical Transfer Characteristics
TJ , Junction Temperature (°C)
Fig 4. Normalized On-Resistance vs. Temperature
10000
1000
VGS = 0V, f = 1 KHZ
Ciss = Cgs + Cgd, Cds SHORTED
Crss = Cgd
Coss = Cds + Cgd
Ciss
14
12
10
8
ID= -7.8A
VDS= -24V
VDS= -15V
VDS= -6V
Coss
6
100
10
Crss
4
2
0
1
10
100
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
-VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 5. Typical Capacitance vs.Drain-to-Source Voltage
www.irf.com
QG, Total Gate Charge (nC)
Fig 6. Typical Gate Charge vs.Gate-to-Source Voltage
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ATS330ASM-1E | CRYSTAL 33.0 MHZ 20PF 3OT SMD |
| ATS32ASM-1E | CRYSTAL 32.0 MHZ 20PF 3OT SMD |
| FXO-HC735R-28.63636 | OSC 28.63636 MHZ 3.3V HCMOS SMD |
| ATS320BSM-1E | CRYSTAL 32.0 MHZ 18PF 3OT SMD |
| ATS300BSM-1E | CRYSTAL 30.0 MHZ 18PF SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRFHS9351PBF | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET |
| IRFHS9351TR2PBF | 功能描述:MOSFET Dual MOSFT PCh -30V 170mOhm -4.5V cpbl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFHS9351TRPBF | 功能描述:MOSFET DUAL -30V P-CH 20V VGS MAX RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFI064 | 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 60V 45A 3PIN TO-259AA - Bulk |
| IRFI064D | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 45A I(D) | TO-259VAR |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。