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参数资料
| 型号： | IRFI1010 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.012ohm, Id=49A) |
| 中文描述： | 功率MOSFET（减振钢板基本\u003d 55V的，的Rds（on）\u003d 0.012ohm，身份证\u003d 49A条） |
| 文件页数： | 7/8页 |
| 文件大小： | 109K |
| 代理商： | IRFI1010 |
IRFI1010N
P.W.
Period
di/dt
Diode Recovery
dv/dt
Ripple
≤
5%
Body Diode
Forward Drop
Re-Applied
Voltage
Reverse
Recovery
Current
Body Diode Forward
Current
V
GS
=10V
V
DD
I
SD
Driver Gate Drive
D.U.T. I
SD
Waveform
D.U.T. V
DS
Waveform
Inductor Curent
D =
P.W.
Period
+
-
+
+
+
-
-
-
Fig 14.
For N-Channel HEXFETS
*
V
GS
= 5V for Logic Level Devices
Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit
R
G
V
DD
dv/dt controlled by R
G
Driver same type as D.U.T.
I
SD
controlled by Duty Factor "D"
D.U.T. - Device Under Test
D.U.T
Circuit Layout Considerations
Low Stray Inductance
Ground Plane
Low Leakage Inductance
Current Transformer
*
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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