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参数资料
| 型号： | IRFI1310N |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 3/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 24A TO220FP |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 24A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 36 毫欧 @ 13A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 120nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1900pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 56W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 整包 |
| 供应商设备封装： | TO-220AB 整包 |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | *IRFI1310N |
IRFI1310N
1000
100
10
VGS
TOP 15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
BOTTOM 4.5V
1000
100
10
VGS
TOP 15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
BOTTOM 4.5V
4.5V
4.5V
20us PULSE WIDTH
20us PULSE WIDTH
1
0.1
1
T J = 25 o C
10
100
1
0.1
1
T J = 175 o C
10
100
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 1. Typical Output Characteristics
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 2. Typical Output Characteristics
1000
3.0
2.5
I D = 36A
T J = 25 C
100
o
2.0
T J = 175 C
10
o
1.5
1.0
0.5
1
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
9.0
10.0
0.0
-60 -40 -20 0
V GS = 10V
20 40 60 80 100 120 140 160 180
T J , Junction Temperature ( C)
V GS , Gate-to-Source Voltage (V)
Fig 3. Typical Transfer Characteristics
o
Fig 4. Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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