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参数资料
| 型号： | IRFI360U |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 25A I(D) | TO-259VAR |
| 中文描述： | 晶体管| MOSFET的| N沟道| 400V五（巴西）直|第25A条（丁）|对259VAR |
| 文件页数： | 1/8页 |
| 文件大小： | 555K |
| 代理商： | IRFI360U |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFI460D | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 21A I(D) | TO-259VAR |
| IRFI460U | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 21A I(D) | TO-259VAR |
| IRFI540 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 17A I(D) | TO-220AB |
| IRFI540G | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 17A I(D) | SOT-186 |
| IRFI9520N | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 5.5A I(D) | TO-220AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRFI3710 | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET Transistor, N-Channel, TO-247 |
| IRFI4019H-117P | 功能描述:MOSFET MOSFT DUAL NCh 150V 8.7A 5-Pin RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFI4019HG-117P | 功能描述:MOSFET MOSFT DUAL NCh 150V 8.7A 5-Pin RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFI4020H-117P | 功能描述:MOSFET MOSFT DUAL NCh 200V 9.1A 5-Pin RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFI4024H-117P | 功能描述:MOSFET MOSFT DUAL NCh 55V 11A 5-Pin RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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