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参数资料
| 型号： | IRFI624B |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 250V N-Channel MOSFET |
| 中文描述： | 4.1 A, 250 V, 1.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封装： | I2PAK-3 |
| 文件页数： | 6/9页 |
| 文件大小： | 666K |
| 代理商： | IRFI624B |
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. B, November 2001
I
Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit & Waveforms
DUT
V
DS
+
_
Driver
R
G
as DUT
V
GS
I
SD
controlled by pulse period
V
DD
L
I
SD
10V
V
GS
( Driver )
I
SD
( DUT )
V
DS
( DUT )
V
DD
Forward Voltage Drop
V
SD
I
FM
, Body Diode Forward Current
Body Diode Reverse Current
I
RM
Body Diode Recovery dv/dt
di/dt
D =
Gate Pulse Period
-Gate Pulse Width
-Gate Pulse Width
Same Type
dv/dt controlled by R
G
Body Diode
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFW624B | 250V N-Channel MOSFET |
| IRFJ240 | N - CHANNEL POWER MOSFET FOR HI?REL APPLICATIONS |
| IRFM110A | Advanced Power MOSFET |
| IRFM120A | IEEE802.3af Compatible |
| IRFM1310ST | N?CHANNEL POWER MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRFI624BTU_FP001 | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFI624BTUFP001 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| IRFI624G | 功能描述:MOSFET N-Chan 250V 3.4 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFI624GPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 250V 3.4 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFI630 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:200V N-Channel MOSFET |
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