参数资料
型号: IRFI740
厂商: International Rectifier
英文描述: Power MOSFET(Vdss=400V, Rds(on)=0.55ohm, Id=5.4A)
中文描述: 功率MOSFET(减振钢板基本\u003d为400V,的Rds(on)\u003d 0.55ohm,身份证\u003d 5.4A)
文件页数: 6/8页
文件大小: 221K
代理商: IRFI740
相关PDF资料
PDF描述
IRFI740G Power MOSFET(Vdss=400V, Rds(on)=0.55ohm, Id=5.4A)
IRFI840GLC Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)=0.85ohm, Id=4.5A)
IRFI9540G HEXFET Power MOSFET
IRFI9Z34G HEXFET POWER MOSFET
IRFI9Z34N P Channel Straight Lead HEXFET Power MOSFET(P沟道HEXFET功率MOS场效应管)
相关代理商/技术参数
参数描述
IRFI740A 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-262AA
IRFI740B 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:400V N-Channel MOSFET
IRFI740BTU 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFI740G 功能描述:MOSFET N-Chan 400V 5.4 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFI740GLC 功能描述:MOSFET N-Chan 400V 5.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube