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参数资料
| 型号： | IRFI740G |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | Power MOSFET(Vdss=400V, Rds(on)=0.55ohm, Id=5.4A) |
| 中文描述： | 功率MOSFET（减振钢板基本\u003d为400V，的Rds（on）\u003d 0.55ohm，身份证\u003d 5.4A） |
| 文件页数： | 8/8页 |
| 文件大小： | 221K |
| 代理商： | IRFI740G |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| IRFIB41N15D | HEXFET Power MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRFI740GLC | 功能描述:MOSFET N-Chan 400V 5.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFI740GLCPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 400V 5.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFI740GPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 400V 5.4 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFI744G | 功能描述:MOSFET N-Chan 450V 4.9 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFI744GPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 450V 4.9 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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