- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录360938 > IRFI9520N TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 5.5A I(D) | TO-220AB PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IRFI9520N |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 5.5A I(D) | TO-220AB |
| 中文描述： | 晶体管| MOSFET的| P通道| 100V的五（巴西）直| 5.5AI（四）| TO - 220AB现有 |
| 文件页数： | 6/8页 |
| 文件大小： | 381K |
| 代理商： | IRFI9520N |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFI9630 | |
| IRFI9Z14G | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 5.3A I(D) | SOT-186 |
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| IRFIP054 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 64A I(D) | TO-247VAR |
| IRFIP150 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 31A I(D) | TO-247VAR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRFI9530G | 功能描述:MOSFET P-Chan 100V 7.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFI9530GPBF | 功能描述:MOSFET P-Chan 100V 7.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFI9540G | 功能描述:MOSFET P-Chan 100V 11 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFI9540GPBF | 功能描述:MOSFET P-Chan 100V 11 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFI9540N | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET |
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