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参数资料
| 型号： | IRFI9630 |
| 文件页数： | 6/8页 |
| 文件大小： | 381K |
| 代理商： | IRFI9630 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFI9Z14G | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 5.3A I(D) | SOT-186 |
| IRFI9Z34N | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 14A I(D) | TO-220FP |
| IRFIP054 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 64A I(D) | TO-247VAR |
| IRFIP150 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 31A I(D) | TO-247VAR |
| IRFIP244 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 11A I(D) | TO-247VAR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRFI9630G | 功能描述:MOSFET P-Chan 200V 4.3 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFI9630GPBF | 功能描述:MOSFET P-Chan 200V 4.3 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFI9634G | 功能描述:MOSFET P-Chan 250V 4.1 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFI9634GPBF | 功能描述:MOSFET P-Chan 250V 4.1 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFI9640 | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:Power MOSFET(Vdss=-200V, Rds(on)=0.50ohm, Id=-6.1A) |
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