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参数资料
| 型号： | IRFI9Z14G |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 5.3A I(D) | SOT-186 |
| 中文描述： | 晶体管| MOSFET的| P通道| 60V的五（巴西）直| 5.3AI（四）|的SOT - 186 |
| 文件页数： | 6/8页 |
| 文件大小： | 381K |
| 代理商： | IRFI9Z14G |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFI9Z34N | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 14A I(D) | TO-220FP |
| IRFIP054 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 64A I(D) | TO-247VAR |
| IRFIP150 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 31A I(D) | TO-247VAR |
| IRFIP244 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 11A I(D) | TO-247VAR |
| IRFIP254 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 17A I(D) | TO-247VAR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRFI9Z14GPBF | 功能描述:MOSFET P-Chan 60V 5.3 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFI9Z24G | 功能描述:MOSFET P-Chan 60V 8.5 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFI9Z24GPBF | 功能描述:MOSFET P-Chan 60V 8.5 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFI9Z24N | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET |
| IRFI9Z34G | 功能描述:MOSFET P-Chan 60V 12 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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