参数资料
型号: IRFI9Z34G
厂商: International Rectifier
英文描述: HEXFET POWER MOSFET
中文描述: HEXFET功率MOSFET
文件页数: 2/6页
文件大小: 172K
代理商: IRFI9Z34G
相关PDF资料
PDF描述
IRFI9Z34N P Channel Straight Lead HEXFET Power MOSFET(P沟道HEXFET功率MOS场效应管)
IRFIB41N15D HEXFET Power MOSFET
IRFIB5N50L MOTOR Control Application
IRFIB5N65A N Channel SMPS MOSFET(N沟道开关模式电源MOS场效应管)
IRFIB5N65 Power MOSFET(Vdss=650V, Rds(on)max=0.93ohm, Id=5.1A)
相关代理商/技术参数
参数描述
IRFI9Z34GPBF 功能描述:MOSFET P-Chan 60V 12 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFI9Z34N 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET (-55V, 0.1ohm, -14A)
IRFI9Z34NPBF 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET
IRFIB41N15D 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET
IRFIB41N15DPBF 功能描述:MOSFET 150V SINGLE N-CH 45mOhms 72nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube