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参数资料
| 型号： | IRFI9Z34N |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 14A I(D) | TO-220FP |
| 中文描述： | 晶体管| MOSFET的| P通道| 55V的五（巴西）直|第14A条（丁）|对220FP |
| 文件页数： | 6/8页 |
| 文件大小： | 381K |
| 代理商： | IRFI9Z34N |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFIP054 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 64A I(D) | TO-247VAR |
| IRFIP150 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 31A I(D) | TO-247VAR |
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| IRFIP254 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 17A I(D) | TO-247VAR |
| IRFIP350 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 11A I(D) | TO-247VAR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRFI9Z34NPBF | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET |
| IRFIB41N15D | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET |
| IRFIB41N15DPBF | 功能描述:MOSFET 150V SINGLE N-CH 45mOhms 72nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFIB5N50L | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Power MOSFET |
| IRFIB5N50LPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 500V 4.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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