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参数资料
| 型号： | IRFIB41N15D |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET Power MOSFET |
| 中文描述： | HEXFET功率MOSFET |
| 文件页数： | 10/12页 |
| 文件大小： | 268K |
| 代理商： | IRFIB41N15D |
IRFB/IRFIB/IRFS/IRFSL41N15D
10
www.irf.com
F530S
THIS IS AN IRF530S WITH
LOT CODE 8024
ASSEMBLED ON WW 02, 2000
IN THE ASSEMBLY LINE "L"
ASSEMBLY
LOT CODE
INTERNATIONAL
RECTIFIER
LOGO
PART NUMBER
DATE CODE
YEAR 0 = 2000
WEEK 02
LINE L
Dimensions are shown in millimeters (inches)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFIB5N50L | MOTOR Control Application |
| IRFIB5N65A | N Channel SMPS MOSFET(N沟道开关模式电源MOS场效应管) |
| IRFIB5N65 | Power MOSFET(Vdss=650V, Rds(on)max=0.93ohm, Id=5.1A) |
| IRFIB7N50A | SMPS MOSFET(开关模式电源MOS场效应管) |
| IRFIBC20 | Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=4.4ohm, Id=1.7A) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRFIB41N15DPBF | 功能描述:MOSFET 150V SINGLE N-CH 45mOhms 72nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFIB5N50L | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Power MOSFET |
| IRFIB5N50LPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 500V 4.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFIB5N65 | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:Power MOSFET(Vdss=650V, Rds(on)max=0.93ohm, Id=5.1A) |
| IRFIB5N65A | 功能描述:MOSFET N-Chan 650V 5.1 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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