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参数资料
型号： IRFIB5N50L
厂商： International Rectifier
英文描述： MOTOR Control Application
中文描述： 电机控制中的应用
文件页数： 8/9页
文件大小： 185K
代理商： IRFIB5N50L
8
www.irf.com
P.W.
Period
di/dt
Diode Recovery
dv/dt
Ripple
≤
5%
Body Diode
Forward Drop
Re-Applied
Voltage
Reverse
Recovery
Current
Body Diode Forward
Current
V
GS
=10V
V
DD
I
SD
Driver Gate Drive
D.U.T. I
SD
Waveform
D.U.T. V
DS
Waveform
Inductor Curent
D =
P.W.
Period
+
-
+
+
+
-
-
-
Fig 17.
For N-Channel HEXFET Power MOSFETs
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相关PDF资料
PDF描述
IRFIB5N65A N Channel SMPS MOSFET(N沟道开关模式电源MOS场效应管)
IRFIB5N65 Power MOSFET(Vdss=650V, Rds(on)max=0.93ohm, Id=5.1A)
IRFIB7N50A SMPS MOSFET(开关模式电源MOS场效应管)
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IRFIBC20G Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=4.4ohm, Id=1.7A)
相关代理商/技术参数
参数描述
IRFIB5N50LPBF 功能描述:MOSFET N-Chan 500V 4.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFIB5N65 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:Power MOSFET(Vdss=650V, Rds(on)max=0.93ohm, Id=5.1A)
IRFIB5N65A 功能描述:MOSFET N-Chan 650V 5.1 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFIB5N65APBF 功能描述:MOSFET N-Chan 650V 5.1 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFIB6N60A 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 5.5 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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