- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录377508 > IRFIBC20 (International Rectifier) Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=4.4ohm, Id=1.7A) PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IRFIBC20 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=4.4ohm, Id=1.7A) |
| 中文描述： | 功率MOSFET（减振钢板基本\u003d 600V电压的Rds（on）\u003d 4.4ohm，身份证\u003d 1.7A） |
| 文件页数： | 2/6页 |
| 文件大小： | 167K |
| 代理商： | IRFIBC20 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFIBC20G | Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=4.4ohm, Id=1.7A) |
| IRFIBC40G | GT 17C 17#16 PIN RECP BOX |
| IRFIBC40 | Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=1.2ohm, Id=3.5A) |
| IRFIBC40GLC | GT 17C 17#16 PIN RECP BOX |
| IRFIBE20G | GT 19C 19#12 SKT RECP BOX |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRFIBC20G | 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 1.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFIBC20GPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 1.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFIBC30 | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=2.2ohm, Id=2.5A) |
| IRFIBC30G | 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 2.5 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFIBC30GPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 2.5 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。