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参数资料
| 型号： | IRFIBC30 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 元件分类： | 继电器，输入/输出模块 |
| 英文描述： | 30 AMP MINIATURE POWER RELAY |
| 中文描述： | 功率MOSFET（减振钢板基本\u003d 600V电压的Rds（on）\u003d 2.2ohm，身份证\u003d包2.5a） |
| 文件页数： | 2/6页 |
| 文件大小： | 169K |
| 代理商： | IRFIBC30 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFIBC30G | GT 19C 19#16 PIN RECP BOX |
| IRFIBE30 | Power MOSFET(Vdss=800V, Rds(on)=3.0ohm, Id=2.1A) |
| IRFIBE30G | N-Channel HEXFET Power MOSFET(800V,2.1A HEXFET 功率MOS场效应管) |
| IRFIBF20G | Power MOSFET(Vdss=900V, Rds(on)=8.0ohm, Id=1.2A) |
| IRFIZ34G | HEXFET POWER MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRFIBC30G | 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 2.5 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFIBC30GPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 2.5 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFIBC40 | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=1.2ohm, Id=3.5A) |
| IRFIBC40G | 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 3.5 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFIBC40GLC | 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 3.5 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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