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参数资料
| 型号： | IRFIBC40G-029PBF |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 3.5 A, 600 V, 1.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 封装： | TO-220, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 33K |
| 代理商： | IRFIBC40G-029PBF |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFIBC40GLC-003PBF | 4 A, 600 V, 1.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| IRF9Z24-017PBF | 11 A, 60 V, 0.28 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| IRFIBF30G-004PBF | 1.9 A, 900 V, 3.7 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| IDT7202SA20P | 1K X 9 OTHER FIFO, 20 ns, PDIP28 |
| IDT7202SA35J | 1K X 9 OTHER FIFO, 35 ns, PQCC32 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRFIBC40GLC | 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 3.5 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFIBC40GLCPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 3.5 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFIBC40GPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 3.5 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFIBE20G | 功能描述:MOSFET N-Chan 800V 1.4 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFIBE20GPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 800V 1.4 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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