型号: | IRFIBC40GLC-004PBF |
厂商: | VISHAY INTERTECHNOLOGY INC |
元件分类: | JFETs |
英文描述: | 4 A, 600 V, 1.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
封装: | TO-220, 3 PIN |
文件页数: | 1/1页 |
文件大小: | 22K |
代理商: | IRFIBC40GLC-004PBF |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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IRFK3FC50 | 24 A, 600 V, 0.23 ohm, 6 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-240AA |
IRFP243 | 18 A, 150 V, 0.22 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AC |
IRFP245PBF | 14 A, 250 V, 0.34 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AC |
IRFP251 | 33 A, 150 V, 0.085 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AC |
IRFP252 | 27 A, 200 V, 0.12 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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IRFIBC40GLCPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 3.5 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
IRFIBC40GPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 3.5 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
IRFIBE20G | 功能描述:MOSFET N-Chan 800V 1.4 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
IRFIBE20GPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 800V 1.4 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
IRFIBE30 | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:Power MOSFET(Vdss=800V, Rds(on)=3.0ohm, Id=2.1A) |