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参数资料
| 型号： | IRFIBC40GLC |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | GT 17C 17#16 PIN RECP BOX |
| 中文描述： | 功率MOSFET（减振钢板基本\u003d 600V电压的Rds（on）\u003d 1.2ohm，身份证\u003d 3.5A的） |
| 文件页数： | 2/6页 |
| 文件大小： | 170K |
| 代理商： | IRFIBC40GLC |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFIBE20G | GT 19C 19#12 SKT RECP BOX |
| IRFIBF30G | Power MOSFET(Vdss=900V, Rds(on)=3.7ohm, Id=1.9A) |
| IRFK3FC50 | Isolated Base Power HEX-pak Assembly - Half Bridge Configuration |
| IRFK3D054 | Isolated Base Power HEX-pak Assembly - Half Bridge Configuration |
| IRFK3D150 | Isolated Base Power HEX-pak Assembly - Half Bridge Configuration |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRFIBC40GLCPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 3.5 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFIBC40GPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 3.5 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFIBE20G | 功能描述:MOSFET N-Chan 800V 1.4 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFIBE20GPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 800V 1.4 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFIBE30 | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:Power MOSFET(Vdss=800V, Rds(on)=3.0ohm, Id=2.1A) |
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