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参数资料
| 型号： | IRFIBE20G-018PBF |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 1.4 A, 800 V, 6.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 封装： | TO-220, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 33K |
| 代理商： | IRFIBE20G-018PBF |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFIBE20G-015PBF | 1.4 A, 800 V, 6.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| IRFIBE20G-013PBF | 1.4 A, 800 V, 6.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| IRFIBE20G-012PBF | 1.4 A, 800 V, 6.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| IRFIBE20G-011PBF | 1.4 A, 800 V, 6.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| IRFIBE20G-010PBF | 1.4 A, 800 V, 6.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRFIBE20GPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 800V 1.4 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFIBE30 | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:Power MOSFET(Vdss=800V, Rds(on)=3.0ohm, Id=2.1A) |
| IRFIBE30G | 功能描述:MOSFET N-Chan 800V 2.1 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFIBE30GPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 800V 2.1 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFIBF20G | 功能描述:MOSFET N-Chan 900V 1.2 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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