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参数资料
| 型号： | IRFIBE30G |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | N-Channel HEXFET Power MOSFET(800V,2.1A HEXFET 功率MOS场效应管) |
| 中文描述： | N沟道HEXFET功率MOSFET（800V的，2.1A的HEXFET功率马鞍山场效应管） |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 142K |
| 代理商： | IRFIBE30G |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFIBF20G | Power MOSFET(Vdss=900V, Rds(on)=8.0ohm, Id=1.2A) |
| IRFIZ34G | HEXFET POWER MOSFET |
| IRFIZ44G | HEXFET POWER MOSFET |
| IRFIZ44N | Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.024ohm, Id=31A) |
| IRFIZ48VPBF | HEXFET Power MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRFIBE30GPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 800V 2.1 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFIBF20G | 功能描述:MOSFET N-Chan 900V 1.2 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFIBF20GPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 900V 1.2 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFIBF30G | 功能描述:MOSFET N-Chan 900V 1.9 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFIBF30GPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 900V 1.9 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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