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参数资料
| 型号： | IRFIZ24E-005 |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 14 A, 60 V, 0.071 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 封装： | TO-220, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 34K |
| 代理商： | IRFIZ24E-005 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFIZ24E-002 | 14 A, 60 V, 0.071 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| IRFIZ24N-013PBF | 13 A, 55 V, 0.07 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| IRFIZ24N-012PBF | 13 A, 55 V, 0.07 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| IRFIZ24N-009PBF | 13 A, 55 V, 0.07 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| IRFIZ24N-003PBF | 13 A, 55 V, 0.07 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRFIZ24EPBF | 功能描述:MOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 71mOhms 13.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFIZ24G | 功能描述:MOSFET N-Chan 60V 14 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFIZ24G_09 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Power MOSFET |
| IRFIZ24GPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 60V 14 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFIZ24N | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N FULLPAK ((NW)) |
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