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参数资料
| 型号： | IRFL210 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=1.5ohm, Id=0.96A) |
| 中文描述： | 功率MOSFET（减振钢板基本\u003d 200V的电压，的Rds（on）\u003d 1.5ohm，身份证\u003d 0.96A） |
| 文件页数： | 6/6页 |
| 文件大小： | 182K |
| 代理商： | IRFL210 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFL4315 | SMPS MOSFET |
| IRFM044 | 60V, N-CHANNEL |
| IRFM064 | POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-254AA) |
| IRFM260 | TRANSISTOR N-CHANNEL(BVdss=200V, Rds(on)=0.060ohm, Id=35A*) |
| IRFM440 | POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-254AA) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRFL210PBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 200V 0.96 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFL210TR | 功能描述:MOSFET N-Chan 200V 0.96 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFL210TRPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 200V 0.96 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFL214 | 功能描述:MOSFET N-Chan 250V 0.79 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFL214PBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 250V 0.79 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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