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参数资料
| 型号： | IRFM110A |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | Advanced Power MOSFET |
| 中文描述： | 1.5 A, 100 V, 0.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 文件页数： | 6/7页 |
| 文件大小： | 263K |
| 代理商： | IRFM110A |
N-CHANNEL
POWER MOSFET
Fig 15. Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit & Waveforms
DUT
V
DS
+
--
L
I
S
Driver
V
GS
R
G
Same Type
as DUT
V
GS
dv/dt controlled by “R
G
”
I
S
controlled by Duty Factor “D”
V
DD
10V
V
GS
( Driver )
I
S
( DUT )
V
DS
( DUT )
V
DD
Body Diode
Forward Voltage Drop
V
f
I
FM
, Body Diode Forward Current
Body Diode Reverse Current
I
RM
Body Diode Recovery dv/dt
di/dt
D =
Gate Pulse Period
-Gate Pulse Width
IRFM110A
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFM120A | IEEE802.3af Compatible |
| IRFM1310ST | N?CHANNEL POWER MOSFET |
| IRFM210 | 200V N-Channel MOSFET |
| IRFM210B | 200V N-Channel MOSFET |
| IRFM214B | 250V N-Channel MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRFM110ATF | 功能描述:MOSFET 100V Single RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFM120A | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
| IRFM120AQPKE0002 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| IRFM120ATF | 功能描述:MOSFET 100V Single RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFM120ATF-CUT TAPE | 制造商:FAIRCHILD 功能描述:IRFM120A Series N-Channel 100 V 0.2 Ohm Advanced Power Mosfet - SOT-223 |
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