型号: | IRFP150N |
厂商: | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
元件分类: | JFETs |
英文描述: | 44A, 100V, 0.030 Ohm, N-Channel Power MOSFET |
中文描述: | 44 A, 100 V, 0.03 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 |
文件页数: | 8/10页 |
文件大小: | 148K |
代理商: | IRFP150N |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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IRFP240B | 200V N-Channel MOSFET |
IRFP244B | 250V N-Channel MOSFET |
IRFP254B | 250V N-Channel MOSFET |
IRFP440B | 500V N-Channel MOSFET |
IRFP450A | N-Channel Power MOSFET(N沟道增强型功率MOS场效应管(漏源电压为500V,导通电阻为0.4Ω,漏电流为14A)) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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IRFP150N_R4942 | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
IRFP150NHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
IRFP150NPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 100V 39A 36mOhm 73.3nCAC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
IRFP150PBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 100V 41 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
IRFP150PBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET |