- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录378637 > IRFP244B (FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP) 250V N-Channel MOSFET PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IRFP244B |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 250V N-Channel MOSFET |
| 中文描述： | 16 A, 250 V, 0.28 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封装： | TO-3P, 3 PIN |
| 文件页数： | 6/8页 |
| 文件大小： | 688K |
| 代理商： | IRFP244B |
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. B, November 2001
I
Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit & Waveforms
DUT
V
DS
+
_
Driver
R
G
as DUT
V
GS
I
SD
controlled by pulse period
V
DD
L
I
SD
10V
V
GS
( Driver )
I
SD
( DUT )
V
DS
( DUT )
V
DD
Forward Voltage Drop
V
SD
I
FM
, Body Diode Forward Current
Body Diode Reverse Current
I
RM
Body Diode Recovery dv/dt
di/dt
D =
Gate Pulse Period
-Gate Pulse Width
-Gate Pulse Width
Same Type
dv/dt controlled by R
G
Body Diode
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFP254B | 250V N-Channel MOSFET |
| IRFP440B | 500V N-Channel MOSFET |
| IRFP450A | N-Channel Power MOSFET(N沟道增强型功率MOS场效应管（漏源电压为500V，导通电阻为0.4Ω，漏电流为14A）) |
| IRFP450B | 500V N-Channel MOSFET |
| IRFP450 | N-Channel Power MOSFET(N沟道增强型功率MOS场效应管（漏源电压为500V，导通电阻为0.4Ω，漏电流为14A）) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRFP244B_FP001 | 功能描述:MOSFET 250V Single RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFP244B_FP001_Q | 功能描述:MOSFET 250V Single RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFP244PBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 250V 15 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFP244U | 制造商:Harris Corporation 功能描述: |
| IRFP245 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk 制造商:Harris Corporation 功能描述: |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。