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参数资料
| 型号： | IRFP252 |
| 厂商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | N-Channel Power Mosfets |
| 中文描述： | N沟道功率MOSFET |
| 文件页数： | 1/7页 |
| 文件大小： | 518K |
| 代理商： | IRFP252 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFP253 | N-Channel Power Mosfets |
| IRFP251 | N-Channel(Hexfet Transistors) |
| IRFP252 | N-Channel(Hexfet Transistors) |
| IRFP253 | N-Channel(Hexfet Transistors) |
| IRFP351 | N-CHANNEL POWER MOSFETS |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRFP252R | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 27A I(D) | TO-247 |
| IRFP253 | 制造商:SAMSUNG 制造商全称:Samsung semiconductor 功能描述:N-Channel Power Mosfets |
| IRFP253R | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 27A I(D) | TO-247 |
| IRFP254 | 功能描述:MOSFET N-Chan 250V 23 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFP254A | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述: GYDQFHG 3RZHU 026)(7 |
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