参数资料
型号: IRFP342
英文描述: TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 8.4A I(D) | TO-247AC
中文描述: 晶体管| MOSFET的| N沟道| 400V五(巴西)直| 8.4AI(四)|对247AC
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文件大小: 362K
代理商: IRFP342
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PDF描述
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IRFP32N50KS TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 32A I(D) | TO-247VAR
IRFP330 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 5.5A I(D) | TO-247VAR
IRFP331 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | 5.5A I(D) | TO-247VAR
IRFP332 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 4.5A I(D) | TO-247VAR
相关代理商/技术参数
参数描述
IRFP342R 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 8.7A I(D) | TO-247AC
IRFP343 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | 8.4A I(D) | TO-247AC
IRFP343R 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | 8.7A I(D) | TO-247AC
IRFP344 功能描述:MOSFET N-CH 450V 9.5A TO-247AC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRFP344PBF 功能描述:MOSFET N-Chan 450V 9.5 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube