参数资料
型号: IRFP450
厂商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分类: JFETs
英文描述: N-Channel Power MOSFET(N沟道增强型功率MOS场效应管(漏源电压为500V,导通电阻为0.4Ω,漏电流为14A))
中文描述: 14 A, 500 V, 0.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247
封装: TO-3P, 3 PIN
文件页数: 6/7页
文件大小: 238K
代理商: IRFP450
IRFP450
1&+$11(/
32:(5 026)(7
Fig 15. Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit & Waveforms
DUT
V
DS
+
--
L
I
S
Driver
V
GS
R
G
Same Type
as DUT
V
GS
dv/dt controlled by R
G
I
S
controlled by Duty Factor D
V
DD
10V
V
GS
( Driver )
I
S
( DUT )
V
DS
( DUT )
V
DD
Body Diode
Forward Voltage Drop
V
f
I
FM
, Body Diode Forward Current
Body Diode Reverse Current
I
RM
Body Diode Recovery dv/dt
di/dt
D =
Gate Pulse Period
-Gate Pulse Width
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PDF描述
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参数描述
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IRFP450A 功能描述:MOSFET N-Chan 500V 14 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFP450A_R4944 功能描述:MOSFET TO-3P RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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