型号: | IRFP450B |
厂商: | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
元件分类: | JFETs |
英文描述: | 500V N-Channel MOSFET |
中文描述: | 14 A, 500 V, 0.39 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
封装: | TO-3P, 3 PIN |
文件页数: | 5/8页 |
文件大小: | 707K |
代理商: | IRFP450B |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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IRFP450 | N-Channel Power MOSFET(N沟道增强型功率MOS场效应管(漏源电压为500V,导通电阻为0.4Ω,漏电流为14A)) |
IRFP460 | N-Channel Power MOSFET(N沟道增强型功率MOS场效应管(漏源电压为500V,导通电阻为0.25Ω,漏电流为22A)) |
IRFR014 | N-Channel Power MOSFET(N沟道增强型功率MOS场效应管(漏源电压为60V,导通电阻为0.14Ω,漏电流为8.2A)) |
IRFR310 | N-Channel Power MOSFET(1.7A,400V,3.6Ω)(N沟道功率MOS场效应管(漏电流1.7A, 漏源电压400V,导通电阻3.6Ω)) |
IRFR9024 | P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor(-8.8A,-60V,0.28Ω)(P沟道增强型MOS场效应管(漏电流-8.8A, 漏源电压-60V,导通电阻0.28Ω)) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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IRFP450-EPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 500V 14 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
IRFP450FI | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 9A I(D) | TO-218VAR |
IRFP450LC | 功能描述:MOSFET N-Chan 500V 14 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
IRFP450LCPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 500V 14 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
IRFP450N | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET Transistor, N-Channel, TO-247AC |