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参数资料
| 型号： | IRFP453 |
| 厂商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | N-CHANNEL POWER MOSFETS |
| 中文描述： | N沟道功率MOSFET |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 212K |
| 代理商： | IRFP453 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFP9141PBF | 19 A, 80 V, 2 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AC |
| IRFPE42PBF | 4.8 A, 800 V, 2.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AC |
| IRFPE52PBF | 7.8 A, 800 V, 1.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AC |
| IRFPE52 | 7.8 A, 800 V, 1.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AC |
| IRFP443 | 7.7 A, 450 V, 1.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRFP453FI | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-218VAR |
| IRFP453R | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-247 |
| IRFP4568BPF | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:NMOS VDSS150V RDS4.8MΩ ID171A |
| IRFP4568PBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 150V 171 5.9mOhm 151nC Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFP460 | 功能描述:MOSFET N-Chan 500V 20 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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