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参数资料
| 型号： | IRFPG32 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 1KV V(BR)DSS | 2.8A I(D) | TO-247AC |
| 中文描述： | 晶体管| MOSFET的| N沟道| 1KV交五（巴西）直| 2.8AI（四）|对247AC |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 119K |
| 代理商： | IRFPG32 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFPE20 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 2.2A I(D) | TO-247AC |
| IRFPE22 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 2A I(D) | TO-247AC |
| IRFPC32 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 3.9A I(D) | TO-247AC |
| IRFPF42 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 4.3A I(D) | TO-247AC |
| IRFPF52 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 6.2A I(D) | TO-247AC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRFPG40 | 功能描述:MOSFET N-Chan 1000V 4.3 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFPG40PBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 1000V 4.3 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFPG42 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| IRFPG50 | 功能描述:MOSFET N-Chan 1000V 6.1 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFPG50PBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 1000V 6.1 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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