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参数资料
| 型号： | IRFPG52 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 1KV V(BR)DSS | 5.5A I(D) | TO-247AC |
| 中文描述： | 晶体管| MOSFET的| N沟道| 1KV交五（巴西）直| 5.5AI（四）|对247AC |
| 文件页数： | 1/8页 |
| 文件大小： | 485K |
| 代理商： | IRFPG52 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFR014A | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 8.2A I(D) | TO-252AA |
| IRFR034A | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 23A I(D) | TO-252AA |
| IRFU014A | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 8.2A I(D) | TO-251AA |
| IRFU034A | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 23A I(D) | TO-251AA |
| IRFR015 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 6.7A I(D) | TO-252AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRFPS29N60L | 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 29 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFPS29N60LPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 29 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFPS30N60K | 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 30 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFPS30N60KPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 30 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFPS35N50L | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HEXFETPower MOSFET |
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