- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录378637 > IRFR014 (FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP) N-Channel Power MOSFET(N沟道增强型功率MOS场效应管（漏源电压为60V，导通电阻为0.14Ω，漏电流为8.2A）) PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IRFR014 |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | N-Channel Power MOSFET(N沟道增强型功率MOS场效应管（漏源电压为60V，导通电阻为0.14Ω，漏电流为8.2A）) |
| 中文描述： | 8.2 A, 60 V, 0.14 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封装： | DPAK-3 |
| 文件页数： | 5/7页 |
| 文件大小： | 219K |
| 代理商： | IRFR014 |
IRFR014
1&+$11(/
32:(5 026)(7
Fig 12. Gate Charge Test Circuit & Waveform
Fig 13. Resistive Switching Test Circuit & Waveforms
Fig 14. Unclamped Inductive Switching Test Circuit & Waveforms
E
AS
=
L
L
I
AS2
-1
2
--------------------
BV
DSS
-- V
DD
BV
V
in
V
out
10%
90%
t
d(on)
t
r
t
on
t
off
t
d(off)
t
f
Charge
V
GS
10V
Q
g
Q
gs
Q
gd
Vary t
to obtain
required peak I
D
10V
V
DD
C
L
L
V
DS
I
D
R
G
t
p
DUT
BV
DSS
t
p
V
DD
I
AS
V
DS
(t)
I
D
(t)
Time
V
DD
( 0.5 rated V
DS
)
10V
V
out
V
in
R
L
DUT
R
G
3mA
V
GS
Current Sampling (I
G
)
Resistor
Current Sampling (I
D
)
Resistor
DUT
V
DS
300nF
50k
200nF
12V
Same Type
as DUT
Current Regulator
R
1
R
2
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFR310 | N-Channel Power MOSFET（1.7A，400V，3.6Ω）(N沟道功率MOS场效应管（漏电流1.7A, 漏源电压400V，导通电阻3.6Ω）) |
| IRFR9024 | P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor（-8.8A，-60V，0.28Ω）(P沟道增强型MOS场效应管（漏电流-8.8A, 漏源电压-60V，导通电阻0.28Ω）) |
| IRFS240B | 200V N-Channel MOSFET |
| IRFS244B | 250V N-Channel MOSFET |
| IRFS250 | 200V N-Channel MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRFR014_10 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Power MOSFET |
| IRFR014A | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 8.2A I(D) | TO-252AA |
| IRFR014PBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 60V 7.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFR014TR | 功能描述:MOSFET N-Chan 60V 7.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFR014TRL | 功能描述:MOSFET N-Chan 60V 7.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。