型号: | IRFR014A |
英文描述: | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 8.2A I(D) | TO-252AA |
中文描述: | 晶体管| MOSFET的| N沟道| 60V的五(巴西)直| 8.2AI(四)|对252AA |
文件页数: | 6/6页 |
文件大小: | 283K |
代理商: | IRFR014A |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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IRFR034A | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 23A I(D) | TO-252AA |
IRFU014A | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 8.2A I(D) | TO-251AA |
IRFU034A | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 23A I(D) | TO-251AA |
IRFR015 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 6.7A I(D) | TO-252AA |
IRFR020 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 15A I(D) | TO-252AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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IRFR014PBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 60V 7.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
IRFR014TR | 功能描述:MOSFET N-Chan 60V 7.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
IRFR014TRL | 功能描述:MOSFET N-Chan 60V 7.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
IRFR014TRLPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 60V 7.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
IRFR014TRPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 60V 7.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |