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参数资料
| 型号： | IRFR1010ZTRLPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 7/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 55V 42A DPAK |
| 标准包装： | 6,000 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 55V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 42A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 7.5 毫欧 @ 42A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 100µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 95nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2840pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 140W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRFR/U1010ZPbF
1000
Duty Cycle = Single Pulse
100
Allowed avalanche Current vs
10
0.01
0.05
avalanche pulsewidth, tav
assuming ? Tj = 25°C due to
avalanche losses
0.10
1
0.1
1.0E-06
1.0E-05
1.0E-04
1.0E-03
1.0E-02
1.0E-01
tav (sec)
Fig 15. Typical Avalanche Current vs.Pulsewidth
120
Notes on Repetitive Avalanche Curves , Figures 15, 16:
100
80
60
40
20
TOP Single Pulse
BOTTOM 1% Duty Cycle
ID = 42A
(For further info, see AN-1005 at www.irf.com)
1. Avalanche failures assumption:
Purely a thermal phenomenon and failure occurs at a
temperature far in excess of T jmax . This is validated for
every part type.
2. Safe operation in Avalanche is allowed as long asT jmax is
not exceeded.
3. Equation below based on circuit and waveforms shown in
Figures 12a, 12b.
4. P D (ave) = Average power dissipation per single
avalanche pulse.
5. BV = Rated breakdown voltage (1.3 factor accounts for
voltage increase during avalanche).
6. I av = Allowable avalanche current.
7. ? T = Allowable rise in junction temperature, not to exceed
0
25
50
75
100
125
150
175
T jmax (assumed as 25°C in Figure 15, 16).
t av = Average time in avalanche.
D = Duty cycle in avalanche = t av ·f
Starting TJ , Junction Temperature (°C)
Fig 16. Maximum Avalanche Energy
vs. Temperature
www.irf.com
Z thJC (D, t av ) = Transient thermal resistance, see figure 11)
P D (ave) = 1/2 ( 1.3·BV·I av ) = D T/ Z thJC
I av = 2 D T/ [1.3·BV·Z th ]
E AS (AR) = P D (ave) ·t av
7
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